AMI Semiconductor NTMFS4C13NT1G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件包装

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.2A (Ta), 38A (Tc)

Other Names

NTMFS4C13NT1GOSCT

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

750mW (Ta)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Cut Tape (CT)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.1 mOhm @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

770pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.2nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-