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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 AP6N03SI
AP6N03SI
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A Power microelectronics AP6N03SI

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型号

AP6N03SI

品牌

A Power microelectronics

utmel 编号

1604-AP6N03SI

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

30V 6A 29mΩ@4.5V,5A 1.5W 900mV@250uA 1 N-Channel SOT-89-3L MOSFETs ROHS

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AP6N03SI
AP6N03SI A Power microelectronics 30V 6A 29mΩ@4.5V,5A 1.5W 900mV@250uA 1 N-Channel SOT-89-3L MOSFETs ROHS

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AP6N03SI详情

技术参数

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A Power microelectronics AP6N03SI重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • RoHS

    true

  • Drain Source Voltage (Vdss)

    30V

  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

    29mΩ@4.5V,5A

  • Power Dissipation (Pd)

    1.5W

  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

    900mV@250uA

  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

    65pF@15V

  • Input Capacitance (Ciss@Vds)

    572pF@15V

  • Total Gate Charge (Qg@Vgs)

    [email protected]

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55℃~+150℃@(Tj)

  • 类型

    1 N-Channel

  • Continuous Drain Current (Id)

    6A

0个相似型号

技术文档: A Power microelectronics AP6N03SI.

AP6N03SI拓展信息

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ISO13485
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