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Atmel (Microchip Technology) APT35GP120B2D2G

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型号

APT35GP120B2D2G

品牌

Atmel (Microchip Technology)

utmel 编号

225-APT35GP120B2D2G

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 35 A TO-247 MAXView in Development Tools Selector

起订量

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APT35GP120B2D2G
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APT35GP120B2D2G详情

技术参数

Atmel (Microchip Technology) APT35GP120B2D2G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • RoHS

    Details

  • Mounting Styles

    通孔

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    1.2 kV

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    - 20 V, + 20 V

  • Continuous Collector Current at 25 C

    96 A

  • Pd - Power Dissipation

    543 W

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Gate-Emitter Leakage Current

    100 nA

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • 包装

    Tube

  • 配置

    Single

0个相似型号

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公司资质

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AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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