Broadcom Limited ATF-511P8-TR1
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ATF-511P8-TR1
354-ATF-511P8-TR1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
8-WFDFN Exposed Pad
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Trans JFET 7V 1A pHEMT 8-Pin LPCC T/R
1最小包装量--
ATF-511P8-TR1详情
Broadcom Limited ATF-511P8-TR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
包装/外壳
8-WFDFN Exposed Pad
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
Voltage Rated
7V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.29.00.75
额定电流
1A
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
频率
2GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-N8
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
200mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
E-pHEMT
增益
14.8dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
DS 击穿电压-最小值
7V
功率 - 输出
30dBm
场效应管技术
高电子迁移率
噪声图
1.4dB
电压-测试
4.5V
环境耗散-最大值
3W
RoHS状态
符合RoHS标准
ATF-511P8-TR1拓展信息
Broadcom Limited
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