VMMK-1218-TR1G
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Broadcom Limited VMMK-1218-TR1G

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型号

VMMK-1218-TR1G

utmel 编号

354-VMMK-1218-TR1G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

0402 (1005 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans JFET 5V 100mA GaAs pHEMT 3-Pin SMD T/R

起订量

1最小包装量--

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VMMK-1218-TR1G
VMMK-1218-TR1G Broadcom Limited Trans JFET 5V 100mA GaAs pHEMT 3-Pin SMD T/R

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VMMK-1218-TR1G详情

Broadcom Limited VMMK-1218-TR1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    0402 (1005 Metric)

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    砷化镓

  • Number of Elements

    1

  • Voltage Rated

    5V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • HTS代码

    8542.33.00.01

  • 额定电流

    100mA

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 频率

    10GHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • JESD-30代码

    R-XBCC-N3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 测试电流

    20mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    E-pHEMT

  • 增益

    9dB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.1A

  • DS 击穿电压-最小值

    5V

  • 功率 - 输出

    12dBm

  • 场效应管技术

    高电子迁移率

  • 噪声图

    0.81dB

  • 电压-测试

    3V

  • 环境耗散-最大值

    0.3W

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Broadcom Limited VMMK-1218-TR1G.

VMMK-1218-TR1G拓展信息

ATF-551M4-BLK
ATF-551M4-BLK

Broadcom Limited

ATF-34143-TR1G
ATF-34143-TR1G

Broadcom Limited

ATF-36163-BLKG
ATF-36163-BLKG

Broadcom Limited

ATF-511P8-BLK
ATF-511P8-BLK

Broadcom Limited

VMMK-1218-BLKG
VMMK-1218-BLKG

Broadcom Limited

ATF-551M4-TR1
ATF-551M4-TR1

Broadcom Limited

ATF-521P8-BLK
ATF-521P8-BLK

Broadcom Limited

ATF-54143-TR1G
ATF-54143-TR1G

Broadcom Limited

ATF-33143-BLKG
ATF-33143-BLKG

Broadcom Limited

VMMK-1225-BLKG
VMMK-1225-BLKG

Broadcom Limited

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