Broadcom Limited VMMK-1218-TR1G
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VMMK-1218-TR1G
354-VMMK-1218-TR1G
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
0402 (1005 Metric)
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Trans JFET 5V 100mA GaAs pHEMT 3-Pin SMD T/R
1最小包装量--
VMMK-1218-TR1G详情
Broadcom Limited VMMK-1218-TR1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
0402 (1005 Metric)
表面安装
YES
晶体管元件材料
砷化镓
Number of Elements
1
Voltage Rated
5V
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8542.33.00.01
额定电流
100mA
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
频率
10GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-XBCC-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
20mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
E-pHEMT
增益
9dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.1A
DS 击穿电压-最小值
5V
功率 - 输出
12dBm
场效应管技术
高电子迁移率
噪声图
0.81dB
电压-测试
3V
环境耗散-最大值
0.3W
RoHS状态
符合RoHS标准
VMMK-1218-TR1G拓展信息
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