Central 2N3725A PBFREE

包装/外壳

TO-39

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-39

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

60

Collector-Emitter Saturation Voltage

900 mV

Unit Weight

0.035486 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

500

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

300 MHz

Manufacturer

Central Semiconductor

Brand

Central Semiconductor

Maximum DC Collector Current

1.2 A

DC Current Gain hFE Max

150

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Current-Collector (Ic) (Max)

1.2 A

Package Description

,

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

300 MHz

Manufacturer Part Number

2N3725APBFREE

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.7

系列

*

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

JESD-609代码

e3

端子表面处理

镍外哑光锡

子类别

Transistors

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

配置

Single

功率 - 最大

1 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 100mA, 1V

最大集极截止电流

10µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

80 V

最大耗散功率(Abs)

1 W

集电极电流-最大值(IC)

1.2 A

最小直流增益（hFE）

60

连续集电极电流

1.2 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT