2N4299
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Central 2N4299

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型号

2N4299

品牌

Central

utmel 编号

420-2N4299

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-213AA, TO-66-2

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR

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1最小包装量--

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2N4299 Central TRANSISTOR

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2N4299详情

Central 2N4299重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-213AA, TO-66-2

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    TO-66

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    1 A

  • 厂商

    Central Semiconductor Corp

  • Product Status

    最后一次购买

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    METAL

  • Operating Temperature-Min

    -65 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    20 MHz

  • Manufacturer Part Number

    2N4299

  • Turn-on Time-Max (ton)

    7000 ns

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    Central Semiconductor Corp

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

  • Turn-off Time-Max (toff)

    10000 ns

  • Risk Rank

    5.29

  • Part Package Code

    TO-66

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    -

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    O-MBFM-P2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 功率 - 最大

    20 W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    50 @ 50mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    600µA

  • JEDEC-95代码

    TO-66

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    750mV @ 5mA, 50mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    250 V

  • 频率转换

    20MHz

  • 最大耗散功率(Abs)

    20 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    35

  • 集电极-发射器电压-最大值

    250 V

  • VCEsat-最大值

    0.75 V

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