Central 2N4299重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-213AA, TO-66-2
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-66
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
厂商
Central Semiconductor Corp
Product Status
最后一次购买
Package Description
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
20 MHz
Manufacturer Part Number
2N4299
Turn-on Time-Max (ton)
7000 ns
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Central Semiconductor Corp
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Turn-off Time-Max (toff)
10000 ns
Risk Rank
5.29
Part Package Code
TO-66
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
20 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 50mA, 10V
最大集极截止电流
600µA
JEDEC-95代码
TO-66
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
750mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
250 V
频率转换
20MHz
最大耗散功率(Abs)
20 W
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
35
集电极-发射器电压-最大值
250 V
VCEsat-最大值
0.75 V