Central Semiconductor 2N2484

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-18

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

350mV

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360mW

hFEMin

200

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

电压

60V

元素配置

Single

电流

5A

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

60MHz

集电极发射器电压(VCEO)

350mV

最大集电极电流

50mA

转换频率

60MHz

频率转换

60MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅