Central Semiconductor 2N6041

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-220

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

75W

hFEMin

1000

包装

Bulk

已出版

2009

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

75W

晶体管应用

AMPLIFIER

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

8A

转换频率

4MHz

频率转换

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准