Central Semiconductor 2N6609

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

140V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

200°C

Power Dissipation (Max)

150W

已出版

2017

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1.4V

最大集电极电流

16A

转换频率

4MHz

最小直流增益（hFE）

15

RoHS状态

符合RoHS标准