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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 2N918
2N918
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Central Semiconductor 2N918

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型号

2N918

品牌

Central Semiconductor

utmel 编号

420-2N918

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

TO-72

交货地

大陆

交期（工作日）

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ROHS

ECAD

简介

2N918 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - RF product details from Central Semiconductor stock available at utmel

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2N918 Central Semiconductor

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技术参数

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Central Semiconductor 2N918重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-72

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    15V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    200mW

  • hFEMin

    20

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W4

  • 资历状况

    不合格

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    600MHz

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    15V

  • 最大集电极电流

    50mA

  • 转换频率

    600MHz

  • 频率转换

    600MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    3V

  • 最小直流增益（hFE）

    20

  • 连续集电极电流

    50mA

  • 集电极-基极电容-最大值

    3pF

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
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选择时请仔细核对商品参数信息

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