Central Semiconductor Corp 2N5179 PBFREE

工厂交货时间

24 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-MBCY-W4

配置

SINGLE

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 3mA 1V

增益

15dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

12V

转换频率

900MHz

频率转换

2GHz

最大耗散功率(Abs)

0.3W

VCEsat-最大值

0.4 V

最高频段

超高频B型

集电极-基极电容-最大值

1pF

噪音数字(分贝类型@ f)

4.5dB @ 200MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant