Central Semiconductor Corp BDV65A

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-218-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Current-Collector (Ic) (Max)

12A

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.75

最大功率耗散

125W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

DARLINGTON

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最大集电极电流

12A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 5A 4V

转换频率

60MHz

频率转换

60MHz

RoHS状态

Non-RoHS Compliant