Central Semiconductor Corp CMLDM3757 TR PBFREE

工厂交货时间

42 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

540mA 430mA

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

350mW

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

550m Ω @ 540mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

150pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.58nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.54A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.35W

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant