Central Semiconductor Corp CMLDM7003T TR

工厂交货时间

24 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

280mA

Number of Elements

2

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2016

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

350mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 50mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.76nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

50V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.28A

漏极-源极导通最大电阻

2.3Ohm

DS 击穿电压-最小值

50V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.35W

场效应管特性

Standard

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant