Comchip Technology MMBT2907A-G

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

质量

1.437803g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

1

hFEMin

100

Power Dissipation (Max)

350mW

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

频率

200MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G3

元素配置

Single

功率 - 最大

250mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1.6V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

20nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

转换频率

200MHz

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-600mA

关断时间-最大值（toff)

285ns

接通时间-最大值(ton)

35ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant