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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 APT27ZTR-G1
APT27ZTR-G1
APT27ZTR-G1

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Diodes Incorporated APT27ZTR-G1

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  • 对比

型号

APT27ZTR-G1

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-APT27ZTR-G1

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

交货地

大陆

交期（工作日）

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ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces

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APT27ZTR-G1
APT27ZTR-G1 Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces

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APT27ZTR-G1详情

技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated APT27ZTR-G1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

  • 供应商器件包装

    TO-92

  • 质量

    453.59237mg

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    450V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    500mV

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    800mA

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Box (TB)

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    800mW

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率 - 最大

    800mW

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    500mV

  • 最大集电极电流

    800mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    15 @ 100mA 10V

  • 最大集极截止电流

    10μA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    500mV @ 40mA, 200mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    450V

  • 最大击穿电压

    450V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    9V

  • 连续集电极电流

    800mA

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: Diodes Incorporated APT27ZTR-G1.

右边的3个型号有着和Diodes Incorporated & APT27ZTR-G1相似的参数规格。

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