Diodes Incorporated BCM857BS-7-F

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Number of Elements

2

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

200mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

200mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 100mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

45V

频率转换

100MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant