BSS138DW-7-F
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Diodes Incorporated BSS138DW-7-F

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型号

BSS138DW-7-F

utmel 编号

671-BSS138DW-7-F

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount

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BSS138DW-7-F Diodes Incorporated DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount

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BSS138DW-7-F详情

Diodes Incorporated BSS138DW-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 供应商器件包装

    SOT-363

  • 质量

    6.010099mg

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    200mA

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    20 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 电阻

    3.5Ohm

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    50V

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 额定电流

    200mA

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    200mW

  • 接通延迟时间

    20 ns

  • 功率 - 最大

    200mW

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.5Ohm @ 220mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    50pF @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    50V

  • 连续放电电流(ID)

    200mA

  • 阈值电压

    1.2V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    75V

  • 输入电容

    50pF

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 漏源电阻

    3.5Ohm

  • 最大rds

    3.5 Ω

  • 栅源电压

    1.2 V

  • 最小击穿电压

    50V

  • 高度

    1.1mm

  • 长度

    2.2mm

  • 宽度

    1.35mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和Diodes Incorporated & BSS138DW-7-F相似的参数规格。

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