Diodes Incorporated DMC3060LVT-13

工厂交货时间

22 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.6A Ta 2.8A Ta

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

830mW

场效应管类型

N and P-Channel Complementary

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 3.1A, 10V, 95m Ω @ 2.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 250μA, 2.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

395pF 324pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.06Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.16W

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant