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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.825795
10
¥3.609243
100
¥3.40494
500
¥3.21221
1000
¥3.030386
Diodes Incorporated DMG4407SSS-13
- 收藏
- 对比
DMG4407SSS-13
671-DMG4407SSS-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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Trans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin SO T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMG4407SSS-13详情
Diodes Incorporated DMG4407SSS-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.45W Ta
Turn Off Delay Time
38 ns
操作温度
-50°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
11.3 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
11m Ω @ 12A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2246pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20.5nC @ 10V
上升时间
15.4ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
22 ns
连续放电电流(ID)
9.9A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
DS 击穿电压-最小值
30V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMG4407SSS-13拓展信息
Diodes Incorporated
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