Diodes Incorporated DMG4N65CT

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

2.299997g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.19W Ta

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

15.1 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13.5nC @ 10V

上升时间

13.8ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

4A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

3Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6A

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

456 mJ

高度

16.5mm

长度

10.7mm

宽度

4.85mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant