Diodes Incorporated DMG6602SVT-7

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.4A 2.8A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

95mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

840mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DMG6602

引脚数量

6

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

840mW

接通延迟时间

3 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 3.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

400pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

5ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

2.8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.4A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

13A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

Logic Level Gate, 4.5V Drive

高度

1mm

长度

2.9mm

宽度

1.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅