Diodes Incorporated DMG7702SFG-13

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

质量

72.007789mg

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

890mW Ta

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

29.7 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

S-PDSO-N5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 13.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4310pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14.7nC @ 10V

上升时间

27.8ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13.6 ns

连续放电电流(ID)

12A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.5A

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管特性

Schottky Diode (Body)

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant