Diodes Incorporated DMHC6070LSD-13

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A 2.4A

Number of Elements

4

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

1.6W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

配置

BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

731pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2.4A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.1Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

15A

DS 击穿电压-最小值

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant