Diodes Incorporated DMN2028USS-13

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.56W Ta

Turn Off Delay Time

35.89 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.56W

接通延迟时间

11.67 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 9.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1000pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.6nC @ 4.5V

上升时间

12.49ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

12.33 ns

连续放电电流(ID)

9.8A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

漏源击穿电压

20V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant