Diodes Incorporated DMN21D2UFB-7B

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-UFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

760mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

380mW Ta

Turn Off Delay Time

19.6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

990m Ω @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

27.6pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.93nC @ 10V

上升时间

4.2ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

9.8 ns

连续放电电流(ID)

760mA

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.76A

漏极-源极导通最大电阻

0.99Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

高度

480μm

长度

1.08mm

宽度

675μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅