Diodes Incorporated DMN2600UFB-7

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-UFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

540mW Ta

Turn Off Delay Time

34.8 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.1 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

350m Ω @ 200mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

70.13pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.85nC @ 4.5V

上升时间

11.5ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

20.9 ns

连续放电电流(ID)

1.3A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant