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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.372934
10
¥7.898995
100
¥7.451883
500
¥7.030077
1000
¥6.632146
Diodes Incorporated DMN4008LFG-7
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- 对比
DMN4008LFG-7
671-DMN4008LFG-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN4008LFG-7详情
Diodes Incorporated DMN4008LFG-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
质量
72.007789mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14.4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
69.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
S-PDSO-N5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8.2 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3537pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
74nC @ 10V
上升时间
14.1ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
24.4 ns
连续放电电流(ID)
14.4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0075Ohm
漏源击穿电压
40V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN4008LFG-7拓展信息
Diodes Incorporated
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