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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.761419
10
¥5.435304
100
¥5.12764
500
¥4.837397
1000
¥4.563588
Diodes Incorporated DMN4031SSD-13
- 收藏
- 对比
DMN4031SSD-13
671-DMN4031SSD-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN4031SSD-13详情
Diodes Incorporated DMN4031SSD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
19.8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
31mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.42W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMN4031
引脚数量
8
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.6W
接通延迟时间
6.4 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
31m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
945pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18.6nC @ 10V
上升时间
9.7ns
漏源电压 (Vdss)
40V
下降时间(典型值)
3.1 ns
连续放电电流(ID)
5.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏源击穿电压
40V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.5mm
长度
4.95mm
宽度
3.95mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMN4031SSD-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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