Diodes Incorporated DMN5010VAK-7

工厂交货时间

7 Weeks

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

质量

3.005049mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

250mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 50mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

50V

连续放电电流(ID)

280mA

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

3Ohm

漏源击穿电压

50V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

长度

1.6mm

高度

600μm

宽度

1.2mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant