Diodes Incorporated DMN6066SSS-13

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Turn Off Delay Time

14.7 ns

Power Dissipation (Max)

1.56W Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.7A Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

2.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

66m Ω @ 4.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

502pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.3nC @ 10V

上升时间

2.4ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.4 ns

连续放电电流(ID)

3.7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.066Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

宽度

4mm

长度

5mm

高度

1.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC