Diodes Incorporated DMN65D8L-7

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

310mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

370mW Ta

Turn Off Delay Time

12.6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

540mW

接通延迟时间

2.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ω @ 115mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

22pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.87nC @ 10V

上升时间

2.8ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

310mA

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.27A

漏极-源极导通最大电阻

4Ohm

漏源击穿电压

60V

高度

1.1mm

长度

3mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅