Diodes Incorporated DMN66D0LW-7
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DMN66D0LW-7
671-DMN66D0LW-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
--最小包装量--
DMN66D0LW-7详情
Diodes Incorporated DMN66D0LW-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
5 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
115mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
200mW Ta
Turn Off Delay Time
33 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6 Ω @ 115mA, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
23pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
115mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
6Ohm
DS 击穿电压-最小值
60V
高度
1mm
长度
2.15mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN66D0LW-7拓展信息
Diodes Incorporated
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