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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.502608
10
¥3.304344
100
¥3.117306
500
¥2.94086
1000
¥2.774396
Diodes Incorporated DMP1200UFR4-7
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- 对比
DMP1200UFR4-7
671-DMP1200UFR4-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XFDFN
大陆
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MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP1200UFR4-7详情
Diodes Incorporated DMP1200UFR4-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XFDFN
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
480mW Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 2A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
514pF @ 5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.8nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
2A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏极-源极导通最大电阻
0.1Ohm
DS 击穿电压-最小值
12V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP1200UFR4-7拓展信息
Diodes Incorporated
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