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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.242043
10
¥1.171738
100
¥1.105414
500
¥1.042844
1000
¥0.983815
Diodes Incorporated DMP2023UFDF-7
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- 对比
DMP2023UFDF-7
671-DMP2023UFDF-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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Single P-Channel 20 V 90 mOhm 27 nC 0.73 W Silicon SMT Mosfet - UDFN-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP2023UFDF-7详情
Diodes Incorporated DMP2023UFDF-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
730mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
27m Ω @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1837pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
7.6A
漏极-源极导通最大电阻
0.027Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP2023UFDF-7拓展信息
Diodes Incorporated
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