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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.211054
10
¥5.859484
100
¥5.527817
500
¥5.214917
1000
¥4.919735
Diodes Incorporated DMP2035UFCL-7
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- 对比
DMP2035UFCL-7
671-DMP2035UFCL-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UFDFN Exposed Pad
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MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP2035UFCL-7详情
Diodes Incorporated DMP2035UFCL-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
22 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UFDFN Exposed Pad
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
740mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 8A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2200pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 8V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
6.6A
漏极-源极导通最大电阻
0.024Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
反馈上限-最大值 (Crss)
220 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP2035UFCL-7拓展信息
Diodes Incorporated
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