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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.456449
10
¥7.977783
100
¥7.526208
500
¥7.1002
1000
¥6.698296
Diodes Incorporated DMP3012LPS-13
- 收藏
- 对比
DMP3012LPS-13
671-DMP3012LPS-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET P-CH 30V 45A POWERDI
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¥
总价: ¥
DMP3012LPS-13详情
Diodes Incorporated DMP3012LPS-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
95.991485mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.29W Ta
Turn Off Delay Time
254 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
电容量
6.807nF
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8.9 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6807pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
139nC @ 10V
上升时间
10.5ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
95 ns
连续放电电流(ID)
13.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP3012LPS-13拓展信息
Diodes Incorporated
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