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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.204571
10
¥1.13639
100
¥1.072064
500
¥1.011378
1000
¥0.954133
Diodes Incorporated DMP510DL-13
- 收藏
- 对比
DMP510DL-13
671-DMP510DL-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP510DL-13详情
Diodes Incorporated DMP510DL-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
180mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
310mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10 Ω @ 100mA, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
24.6pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
50V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
180mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.18A
DS 击穿电压-最小值
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP510DL-13拓展信息
Diodes Incorporated
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