Diodes Incorporated DSM80101M-7

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

600mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G6

极性

NPN

元素配置

Dual

晶体管类型

NPN + Diode (Isolated)

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

500mA

高度

1.1mm

长度

3mm

宽度

1.6mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant