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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.590034
10
¥6.21701
100
¥5.865103
500
¥5.533115
1000
¥5.219926
Diodes Incorporated DSS4160FDB-7
- 收藏
- 对比
DSS4160FDB-7
671-DSS4160FDB-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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TRANS NPH U-DFN2020-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DSS4160FDB-7详情
Diodes Incorporated DSS4160FDB-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
405mW
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
405mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
240mV
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
240mV @ 50mA, 1A
转换频率
175MHz
最大击穿电压
60V
频率转换
175MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DSS4160FDB-7拓展信息
Diodes Incorporated
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