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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.224571
10
¥2.098656
100
¥1.979863
500
¥1.867795
1000
¥1.762065
Diodes Incorporated DST3906DJ-7
- 收藏
- 对比
DST3906DJ-7
671-DST3906DJ-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-963
大陆
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Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DST3906DJ-7详情
Diodes Incorporated DST3906DJ-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-963
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-400mV
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
300mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DST3906D
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
功率 - 最大
300mW
增益带宽积
300MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 50mA
转换频率
300MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
-40V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
连续集电极电流
-200mA
关断时间-最大值(toff)
300ns
接通时间-最大值(ton)
70ns
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DST3906DJ-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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