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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 DST847BPDP6-7
DST847BPDP6-7
DST847BPDP6-7

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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Diodes Incorporated DST847BPDP6-7

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型号

DST847BPDP6-7

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-DST847BPDP6-7

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

SOT-963

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS COMP

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DST847BPDP6-7
DST847BPDP6-7 Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS COMP

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DST847BPDP6-7详情

技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated DST847BPDP6-7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-963

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    45V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    -500mV

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    250mW

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    DST847BPD

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN, PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 增益带宽积

    340MHz

  • 晶体管类型

    NPN, PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    45V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    200 @ 2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA

  • 转换频率

    175MHz

  • 最大击穿电压

    45V

  • 频率转换

    175MHz 340MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    50V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    -5V

  • 连续集电极电流

    100mA

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Diodes Incorporated DST847BPDP6-7.

右边的3个型号有着和Diodes Incorporated & DST847BPDP6-7相似的参数规格。

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公司资质

ISO13485
AS
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选择时请仔细核对商品参数信息

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