Diodes Incorporated ZVN3320A

底架

通孔

包装/外壳

SOT-23

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

200°C

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

200V

最大功率耗散

625mW

端子位置

SINGLE

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

330mW

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

200V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

100mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1A

漏源击穿电压

200V

输入电容

45pF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

25Ohm

最大rds

25 Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅