Diodes Incorporated ZVN4306A

工厂交货时间

17 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

850mW Ta

Turn Off Delay Time

30 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

已出版

2012

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

330mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1.1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

850mW

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

330m Ω @ 3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

350pF @ 25V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

1.1A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

宽度

2.41mm

高度

4.01mm

长度

4.77mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅