Diodes Incorporated ZXMD63P02XTC

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低阈值

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

8

JESD-30代码

S-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

1.04W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

270m Ω @ 1.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

290pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.25nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

JEDEC-95代码

MO-187AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.27Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant