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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.521915
10
¥2.379165
100
¥2.244495
500
¥2.117448
1000
¥1.997593
Diodes Incorporated ZXMP10A17E6TA
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- 对比
ZXMP10A17E6TA
671-ZXMP10A17E6TA
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6
大陆
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Trans MOSFET P-CH 100V 1.6A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXMP10A17E6TA详情
Diodes Incorporated ZXMP10A17E6TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
引脚数
6
质量
14.996898mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.1W Ta
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Turn Off Delay Time
13.4 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
350mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-100V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-1.8A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.1W
接通延迟时间
3 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
350m Ω @ 1.4A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
424pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.1nC @ 5V
上升时间
3.5ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
7.2 ns
连续放电电流(ID)
1.6A
阈值电压
-2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
7.7A
长度
3.1mm
高度
1.3mm
宽度
1.8mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXMP10A17E6TA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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