Diodes Incorporated ZXMP10A18K
- 收藏
- 对比
ZXMP10A18K
671-ZXMP10A18K
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

Trans MOSFET P-CH 100V 5.9A 3-Pin(2 Tab) DPAK
--最小包装量--
ZXMP10A18K详情
Diodes Incorporated ZXMP10A18K重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.17W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
低阈值
电压 - 额定直流
-100V
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-5.2A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
150m Ω @ 2.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1055pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26.9nC @ 10V
上升时间
6.8ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
3.8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
ZXMP10A18K拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated









哦! 它是空的。