Diodes Incorporated ZXMP6A18KTC

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.15W Ta

Turn Off Delay Time

55 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

55mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

LOW THRESHOLD; FAST SWITCHING

电压 - 额定直流

-60V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-10.4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

10.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.6 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

55m Ω @ 3.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1580pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44nC @ 10V

上升时间

5.8ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

10.4A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-60V

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅