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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.975729
10
¥8.467666
100
¥7.988365
500
¥7.536199
1000
¥7.109617
Diodes Incorporated ZXTD617MCTA
- 收藏
- 对比
ZXTD617MCTA
671-ZXTD617MCTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
8-VDFN Exposed Pad
大陆
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TRANS 2NPN 15V 4.5A 8DFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXTD617MCTA详情
Diodes Incorporated ZXTD617MCTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15V
Collector-Emitter Saturation Voltage
940mV
Current-Collector (Ic) (Max)
5A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.7W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
极性
NPN
元素配置
Dual
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
120MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
15V
最大集电极电流
4.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 200mA 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
310mV @ 50mA, 4.5A
转换频率
120MHz
最大击穿电压
15V
频率转换
80MHz
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXTD617MCTA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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